1700V耐圧SiC MOSFETディスクリートを開発 ～次世代エネルギー効率を実現～

当社はこのたび、1700V耐圧の SiC MOSFETディスクリートを開発しました。
SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスは、その優れた特性により、従来のシリコンデバイスを超える低損失かつ高速動作を実現可能です。そのため、車載用や産業用などの大電流・高電圧用途において、省エネルギー化を推進するキーデバイスとして注目されています。
新製品「1700V耐圧SiC MOSFETディスクリート」は、既存の1200V耐圧製品に加え、さらなる高出力な用途にも対応できるラインアップを提供します。これにより、お客様の多様なニーズに一層お応えできるようになりました。
本製品は、還流ダイオード機能を内蔵したSiC MOSFETチップを採用し、4ピン構造にすることで、高速かつ低損失でノイズが少ない動作を実現しています。
当社は、今後も革新的な技術を通じて、エネルギー効率の向上に貢献してまいります。

【新製品の特長】

1.  高耐圧 1700Vの実現により、より効率化した回路アプリケーションが可能
2. ダイオード機能を内蔵したDioMOS（Diode integrated MOSFET）チップ搭載により、高速動作を実現
3. 高温動作時でも長い短絡耐量時間を保持し保護機能の設計が容易
4. 高温動作時でも低オン抵抗を保つ特性を持ち高出力アプリケーションに有利（他社の同一電流定格品に比べて倍近い電流の制御が可能）
5. 誤動作に強いチップを搭載（Vgsth =4.0V（Typ.））ゲートのノイズ信号に対する感度が低く設計が容易

【主な用途】

• 産業用インバーター
•  スイッチング電源
•  各種高周波電源 など

【新製品の概要】

【環境への配慮】

本製品はRoHS※指令（2011/65/EUおよび(EU)2015/863）に準拠しています。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.

【価格】

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