次世代エネルギー効率を実現
1700V 耐圧 SiC MOSFETディスクリート
FMG50AQ170N6
還流ダイオード機能を内蔵したSiC MOSFETチップを採用し、4ピン構造にすることで、高速かつ低損失でノイズが少ない動作を実現
特長
- 絶縁構造と高放熱を実現する最適なパッケージを採用
- 高耐圧 1700Vの実現により、より効率化した回路アプリケーションが可能
- ダイオード機能を内蔵したDioMOS（Diode integrated MOSFET）チップ搭載により、高速動作を実現
- 高温動作時でも長い短絡耐量時間を保持し保護機能の設計が容易
- 高温動作時でも低オン抵抗を保つ特性を持ち高出力アプリケーションに有利（他社の同一電流定格品に比べて倍近い電流の制御が可能）
- 誤動作に強いチップを搭載（Vgsth =4.0V（Typ.））ゲートのノイズ信号に対する感度が低く設計が容易
用途
- 産業用インバーター
- スイッチング電源
- 各種高周波電源 など
最大定格
特にことわらない限りTj=25℃
| 項目 | 記号 | 単位 | 定格値 | 条件 |
|---|---|---|---|---|
| ドレイン-ソース電圧 | VDSS | V | 1700 | - |
| ドレイン電流 | ID | A | 50 | VGS=20V, Tc=101℃, DC |
| 許容損失 | Ptot | W | 440 | Tc=25℃ |
| 動作接合部温度 | Tj | ℃ | -40 〜 +150 | - |
| 絶縁耐圧 | Viso | V | 2500 | 主端子-ケース間、AC 実効値 １分間 |
電気的特性
特にことわらない限りTj=25℃
| 項目 | 記号 | 単位 | 定格値 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| ドレイン-ソースオン抵抗 | RDS(on) | mΩ | - | 16.3 | 31.0 | VGS=20V,ID=50A |
| - | 22.1 | 41.0 | VGS=20V,ID=50A,Tj=150℃ | |||
| ドレイン遮断電流 | IDSS | μA | - | - | 100 | VDS=1700V, VGS=0V |
| ゲート ー ソース閾値電圧 | VGS(th) | V | 3.0 | 4.0 | 5.2 | VDS=10V,ID=1.5mA |
| ゲート漏れ電流 | IGSS | nA | - | - | 100 | VGS=20V, VDS=0V |
| 熱抵抗 | Rth(j-c) | ℃/W | - | 0.21 | 0.28 | - |
