用語集 Glossary
A～Z
CANパッケージ
金属製の台に半導体素子を実装して金属製のキャップを被せて気密封止されたパッケージです。
DIP型モジュール
デュアルインラインパッケージの一種であり、コンパクトなモジュールパッケージです。
Ga2O3（酸化ガリウム）半導体
Ga2O3半導体は、酸化ガリウムを基盤とする次世代半導体デバイスであり、高い電気的特性と高い耐熱性を持ちます。高電圧アプリケーションや高周波電子デバイスでの使用が期待されています。
GaN（窒化ガリウム）半導体
GaN半導体は、窒化ガリウムを基盤とする次世代半導体デバイスであり、高周波および高電力密度のアプリケーションで使用が期待されています。高い電子移動度と高いブレークダウン電圧を持ち、エネルギー効率の高い電力変換を可能にします。
IGBT
IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、高電圧および高電力アプリケーションで使用される半導体スイッチングデバイスです。MOSFETとバイポーラデバイスの特性を組み合わせることで、高い耐電圧と高速スイッチングを提供します。
I層（ドリフト層）
iは真性（intrinsic）半導体の意味で、真性半導体に近い不純物濃度の領域を指します。
JBS構造
高速ダイオードの構造の一つで、PN接合のダイオードとショットキーバリアダイオードの特性を併せ持つことで、高速スイッチングを実現します。JBSは「Junction Barrier Schottky」の略です。
MOSFET
MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、主に電力増幅やスイッチングなどの用途で使用される半導体デバイスです。高速スイッチングや低い駆動電力特性を持ちます。
N型半導体
リン(P)やヒ素(As)を不純物として添加された半導体です。N型半導体では、電子が主要なキャリアとなり、正孔が少数キャリアとして振る舞います。
N層
N型半導体材料で形成された層です。N層は、P型層と結合してPN接合を形成し、半導体デバイスの動作を制御します。
P型半導体
半導体にホウ素(B)やインジウム(In)を不純物として添加された半導体です。P型半導体では、正孔が主要なキャリアとなり、電子が少数キャリアとして振る舞います。
P層
P型半導体材料で形成された層です。P層は、N型層と結合してPN接合を形成し、半導体デバイスの動作を制御します。
QCサークル
品質管理を目的とした小グループ活動です。QCサークルの主な目的は、職場での問題を従業員が自主的に発見し、解決策を考案して実施することにより、製品やサービスの品質向上、作業効率の改善、コスト削減などを図ることです。
REACH規則
化学物質の登録、評価、許可および制限に関する欧州連合の規則です。
RoHS指令
電子機器に含まれる有害物質の使用を制限する欧州連合の指令です。
Si（シリコン）
シリコンは、半導体産業において最も広く使用される素材の一つです。その化学的安定性やプロセスの容易さから、多くの電子デバイスにおいて基盤として用いられています。
SiC MOSFET
SiC（炭化ケイ素）MOSFETは、炭化ケイ素を基盤として作られたMOSFETです。従来のシリコンベースのMOSFETよりも高い耐電圧と高温特性を持ち、高効率での電力変換を可能にします。
SiC（炭化ケイ素）半導体
SiC半導体は、炭化ケイ素を基盤とする半導体デバイスです。高い耐電圧特性や高い耐熱性を持ち、高温および高周波アプリケーションでの使用に適しています。
SIP型モジュール
シングルインラインパッケージの一種であり、スペース効率の高いモジュールパッケージです。
VA活動
Value Analysisの略称で、価値分析を指します。製品やサービスの機能や特性を評価し、コスト削減や効率改善を目指して、不要な機能や無駄を排除する活動です。
VE活動
Value Engineeringの略称で、価値工学を指します。製品やプロセスの機能を最適化し、コストを削減しながら品質や性能を向上させる活動です。
VF
ダイオードなどの素子の順方向電圧を指します。VFが低いほど損失が小さくなります。
VT
サイリスタのオン電圧を指します。VTが低いほど損失が小さくなります。
ア行
アークエアーガウジング
金属加工技術の一つで、電極と作業対象物の間に強力な電気アークを発生させ、同時に圧縮空気をアークに吹き付けることにより、金属を溶かし吹き飛ばすことで溶接後の仕上げや不要な金属の除去、形状の調整などを行う方法です。この技術は、特に厚い金属板の切断や溶接部の清掃、クラックの修復準備などに利用されます。
アグリゲーター
電力需要家の需要バランスをとりまとめ、効果的かつ安定的に電力エネルギーを提供する事業者を指します。再生可能エネルギー分野では、発電された電力の需要を調整し、安定供給を実現させる事業者として機能します。ここでは、異なる電力源からの電力を集約し、需要と供給のバランスを取り、電力の効率的な使用を促進する役割を担います 。
後工程
半導体製造プロセスの中で、前工程で完成した半導体チップを実際に使用する形態に組み立てる工程です。ディスクリートデバイスのように小さいものからパワーモジュールのように大きなものまで様々なパッケージがあります。
アノード
ダイオードやサイリスタなどの素子で、電流が流入する端子を指します。
アバランシェ降伏
半導体素子に定格を超えた逆電圧がかかることで、高い電圧により電子の加速度が非常に大きくなることで電子衝突が増え、結果として電子が放出される現象です。
アバランシェ耐量
半導体素子に定格を超えた逆電圧がかかるとアバランシェ降伏により電流が流れます。この時にどれくらいのエネルギー（電流）まで耐えられるのかをアバランシェ耐量として表します。アバランシェ耐量向上型のデバイスは一般のデバイスよりもアバランシェ電流で破壊しにくいのが特徴です。
アルマイト処理
アルマイト処理（Anodizing）とは、アルミニウムやその合金の表面に陽極酸化処理を施すことにより、表面にアルミニウム酸化膜を形成する処理のことです。この処理によって、素材の耐食性、耐摩耗性、耐候性が向上し、また美観を高めることもできます。
イオン注入
半導体ウェハー上にイオンを照射するプロセスです。イオン注入は、半導体材料内に不純物をドープするために使用され、半導体の電気的特性を制御します。
イグナイター
主にガス放電灯（例えば、メタルハライドランプや高圧ナトリウムランプなど）の点灯を助けるためのデバイスです。これらの種類のランプは、正常に点灯するために非常に高い初期電圧を必要とします。イグナイターは、ランプ内部のガスを点火するために必要な高電圧パルスを提供する役割を担います。
インターフェース
異なるシステムで情報を交換するための接点や手段のことを指します。それによって、異なるシステム同士が連携し合うことが可能になります。
インバーター
直流（DC）電源を交流（AC）電源に変換する電力変換装置のことです。
ウエハ
単結晶のシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）など半導体材料のインゴットから切り出し、表面を研摩した円板状の薄い板のことです。
エッチング
半導体材料やその他の材料表面から特定の領域を除去するプロセスです。エッチングは、マスクされた部分を保護しつつ、対象領域のみを除去することで、パターン化された構造を作成するために使用されます。ドライエッチングとウェットエッチングの２つの主要なタイプがあります。
エミッタ
バイポーラトランジスタで、電子が注入される地域を指します。
オーバーホール
性能を元の仕様に復元するために、電源装置を分解、検査、清掃、修理、必要に応じて部品交換を行う一連のプロセスを指します。このプロセスは、装置の寿命を延ばし、最適な動作状態を保持するために重要です。
オープンフィールドネットワーク
標準化された通信プロトコルを採用した産業用ネットワークのことです。これらのネットワークは、さまざまなメーカーの装置やシステムが相互に通信できるように設計されており、システムの統合と拡張を容易にします。
オン抵抗
MOSFETがオン状態の時のドレイン‐ソース間の抵抗値を指します。
カ行
ガードリング
デバイスの周囲に配置されたリング状に拡散層を配置した構造です。ガードリングにより電界集中を緩和することで耐圧を維持します。
カソード
ダイオードやサイリスタなどの素子で、電流が流出する端子を指します。
価電子
半導体原子の外部電子のうち、結合に関与する最外殻の電子を指します。
過渡熱抵抗
スイッチング時の時間変化による熱特性を表します。
逆回復時間
ダイオードなどの素子で、印加電圧を順方向から逆方向に変化させた時にオン状態からオフ状態になるまでの時間を指します。
逆回復電流
ダイオードなどの素子で、印加電圧を順方向から逆方向に変化させた時にオン状態からオフ状態になるまでの間に流れる電流を指します。
キャリア
半導体内で電気的な移動を担う電荷を指します。電子と正孔の両方がキャリアとして機能します。
強制空冷式
熱を効率的に放散させる冷却方法の一つです。この方式では、ファンやブロワーを使用して外部から冷たい空気を機器の熱を持つ部分に強制的に送り込み、発生した熱を空気に移動させて外部へ排出します。自然空冷方式に比べて、より高い冷却効率を実現することができます。
空乏層
pn接合の接合部でそれぞれの正負のキャリアが拡散されることで電気的に中性な層（空乏層）が形成されます。PN接合に逆電圧をかけると空乏層が広がり、空乏層の広がり幅によってPN接合の耐圧が決定されます。
クリーンルーム
微細な粒子や微生物などの異物が最小限に保たれた環境であり、半導体製造プロセスにおいて使用されます。クリーンルーム内では、高度なフィルタリング技術や除菌技術が使用され、製品の品質と収率を確保します。
系統連系
太陽光発電システムや風力発電システムなどの分散型発電システムが一般の電力ネットワーク（電力系統）に接続され、電力を供給または受電することを指します。
ケース型モジュール
パワー半導体デバイスがケースに収められたモジュールです。
ゲート
MOSFETなどのフィールド効果トランジスタで、チャネルの電荷を制御するための端子を指します。
コア技術
企業や組織が持つ、その競争力の根幹を成す技術やノウハウのことです。これらの技術は、企業が市場で独自の地位を築くための基盤となり、製品やサービスにおける差別化要因や、新しい市場への進出を可能にする鍵となります。
高速ソフトリカバリダイオード
高速ダイオードの逆回復電流が緩やかに回復することが特徴のダイオードです。逆回復電流が急激な場合はノイズの発生源になることがあります。
高速ダイオード
逆回復時間（trr）を小さくしたダイオードです。
スイッチング電源などの高周波用途に用います。
高速リカバリー
ダイオードの印加電圧を順方向から逆方向に変化させた時に、オン状態からオフ状態になるまでの素子の回復時間が非常に短いことを指します。
コジェネレーションシステム
一つのエネルギー源から発電と熱供給の両方を行うエネルギーシステムです。このシステムは、エネルギーの効率的な使用を目的としており、一般に燃料の総エネルギー内容をより多く有効利用することができます。
コレクタ
バイポーラトランジスタで、電子が集められる地域を指します。
コンデンサー
電気を一時的に蓄えることができる受動的電子部品です。二つの導体（通常は金属の板や箔）が、絶縁体（誘電体）で隔てられた構造をしており、導体に電圧が印加されると、一方の導体に正の電荷が、もう一方には負の電荷が蓄積されます。この電荷の蓄積により、コンデンサーはエネルギーを電場の形で蓄えることができます。
コンバーター
ある形態のエネルギーを別の形態に変換する装置です。
交流（AC）電力を直流（DC）電力に、直流（DC）電力を交流（AC）電力に、直流（DC）電圧レベルを別のレベルに、 交流（AC）電圧レベルや周波数を別のレベルや周波数になど様々なものがあります。
サ行
サイリスタ
PNPNの4重構造でPNPトランジスタとNPNトランジスタを組み合わせた複合回路と等価になります。ゲート電流を変化させることでアノードとカソード間に流れる電流を制御することができる半導体素子です。大電流に耐えられることが特徴です。
サプライチェーン
製品やサービスが最終消費者に届くまでの全過程を指します。この過程には、原材料の調達、製造、加工、配送、販売、そして最終的な消費に至るまでの一連の活動や組織、技術、情報の流れが含まれます。
産業用電源
製造工場、自動化システム、重工業などの産業アプリケーション向けに設計された電源です。これらの電源は、一般的に高い耐久性、信頼性、そして広範な入力電圧範囲を持ち、過酷な環境条件（高温、振動、湿度など）でも安定したパフォーマンスを提供するよう設計されています。産業用電源は、機械やプラントの動作に必要な安定した電力供給を確保するために不可欠です。
シーケンサー
主に産業オートメーションの分野で使われる制御装置で、正式にはプログラマブルロジックコントローラー（PLC）と呼ばれます。シーケンサーは、工場の製造ライン、機械制御、プロセス制御など、さまざまな自動化されたタスクを実行するために設計されたデバイスです。
システムコントローラー（EMS）
ビルディング、工場、またはその他の施設のエネルギー使用を監視、制御、最適化するための技術的なフレームワークやソフトウェアツールのことです。
シミュレーター
現実世界の状況、プロセス、またはシステムを模倣するために設計されたデバイス、プログラム、またはシステムを指します。シミュレーションは、実際の環境でのテストや体験が困難、危険、時間がかかる、またはコストが高い場合に、特に有用です。シミュレーターは教育、訓練、研究、分析など、さまざまな目的で使用されます。
充放電制御技術
電池や蓄電装置の充電および放電プロセスを管理・制御する技術です。適切な電流や電圧制御により、安全性や効率性を確保し、電池の寿命や性能を最適化します。
少数キャリア
半導体中に存在する電流を運ぶ役割をもつ電子または正孔をキャリアと呼び、その濃度が低いほうを少数キャリアといいます。
蒸着
金属薄膜を半導体表面に堆積させるプロセスです。蒸着は、金属材料を電子ビームなどで気化させて半導体ウェハー上に均一に堆積させる方法です。蒸着された薄膜は、半導体デバイスの構造や機能を形成するために使用されます。
ショットキー障壁
金属と半導体の接合において、金属の仕事関数と半導体のフェルミエネルギーとの差を表します。ショットキー障壁は金属の種類により異なり、整流作用を示す接合となります。ショットキーバリアダイオードに応用されています。
ショットキーダイオード
半導体と金属の接合によるショットキー障壁を利用したダイオードです。一般的なPN接合のダイオードと比較して順方向電圧が小さく、逆回復時間が短いことが特徴です。一般的に耐圧は200V程度までとなります。
スイッチング式
電子機器や回路が、高速でオンとオフを切り替える方式を指します。これにより、電力の効率的な制御や電圧の変換が可能になります。
スイッチング回路
電子デバイスを用いて電源をオン／オフする回路です。高速でスイッチングし、効率的な電力制御や電圧変換を可能にします。
スパッタ
スパッタリングとも呼ばれ、薄膜を堆積するためのプロセスです。通常、真空にしたチャンバー内でプラズマを発生させることでアルゴンイオンをターゲットと呼ばれる材料に衝突させて、材料を飛散させることで基板上に堆積膜を形成させます。
正孔（ホール）
電子が価電子帯から伝導帯に移動することによって生じる電荷欠陥です。電子の欠如と見なすこともでき、正の電荷を帯びています。
整流器
交流（AC）電力を直流（DC）電力に変換する電気装置です。このプロセスは「整流」と呼ばれ、電子回路や電力供給システムで広く利用されています。
整流ダイオード
交流電流を直流に変換させるときに使います。（整流）
絶縁トランス
絶縁トランス（絶縁変圧器）は、その名の通り、プライマリ側（入力側）とセカンダリ側（出力側）が電気的に絶縁されている変圧器です。この絶縁は、トランスの巻線間に絶縁材料を使用することで達成され、プライマリとセカンダリ側の直接的な電気的接続を防ぎます。絶縁トランスは、電気的な安全性を高めるため、または特定の技術的要件を満たすために使用されます。
セレン
元素記号Seで表される化学元素であり、非金属元素の一つです。主に半導体や光学材料として使用され、光電効果や太陽電池などの技術に応用されます。
ゼロエミ
ゼロ・エミッションの略で、環境への有害な排出物や廃棄物を全く排出しない、または極力排出しないことを目指す概念です。この用語は、特に二酸化炭素（CO2）やその他の温室効果ガスの排出を指す場合が多いですが、化学物質、廃水、固体廃棄物など、あらゆる種類の環境汚染に対しても用いられます。
ソース
MOSFETやFETなどの素子で、チャネルの電荷を供給する端子を指します。
ソフトリカバリー
ダイオードなどの素子で、印加電圧を順方向から逆方向に変化させた時にオン状態からオフ状態になる際に、
滑らかに回復して電圧や電流のスパイクが抑制されることを指します。
タ行
耐圧
素子が耐えられる最大の逆方向の電圧を指します。
ダイアモンド半導体
ダイアモンド半導体は、炭素原子がダイアモンド結晶構造を持つ究極の次世代半導体材料です。これは非常に高い熱伝導率と優れた電気特性を持ち、高電力、高周波、および高温アプリケーションでの使用が期待されています。
ダイオード
電流が一方向にしか流れない電子部品です。二つの電極（陽極と陰極）を持ち、通電方向では電流が流れますが、逆方向ではほとんど電流が流れません。
タブ端子型モジュール
モジュールの一部であり、外部接続を容易にするために設計された端子です。
チップ
半導体素子が集積された基板の一部です。微細な回路や機能を持ち、電子機器の動作を制御します。CPU、メモリ、センサーなどの機能が実装され、電子デバイスの核となります。
チョッパ
直流（DC）電源の電圧を可変するための電子回路です。これは、スイッチング素子（トランジスタ、サイリスタ、MOSFETなど）を使用して、固定された入力電圧を一定の周波数でオン・オフ切り替えることにより、出力側で平均電圧を制御します。
ツェナー降伏
高濃度のPN接合に逆電圧かかると、距離の短くなった価電子帯と伝導帯の間でトンネル効果により電流が流れることを言います。
ツェナーダイオード
定電圧ダイオードとも呼ばれ、逆方向にかけた電圧を一定に保つ特性を持ちます。電源ラインの保護などに使われます。
ディスクリート
個々の半導体素子またはデバイスを指します。
デバイス
電力変換や制御に使用される電子部品のことです。主に電力の変換、制御、保護を行うために用いられ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、IGBTなどが含まれます。
デマンド計測器
電力使用量を計測する装置の一種で、特に電力の最大需要（ピークデマンド）を測定するために使用されます。この装置は、特定の期間（例えば、15分や30分ごと）における最大電力使用量を記録し、そのデータを基に電力使用のピークを把握します。デマンド計測器は、電力使用の効率化、電力コストの削減、電力システムの最適な管理を目的として、主に商業施設や工場、大型ビルなどの大規模電力消費者によって利用されます。
電子
電気の基本的な荷電粒子の一つであり、負の電荷を帯びています。半導体内での電流の主要な担体です。
伝導度変調
半導体中のキャリア濃度を制御することによって伝導度が変化することを言います。
電流積算
一定時間内に流れた電流の総量を測定し積算することです。
トライアック
トライアックは、交流電源を制御するための電子デバイスであり、特にトライアックスイッチとして知られています。これは、バイポーラトランジスタとSCR（サイリスタ）を組み合わせたものであり、バイポーラ特性とSCRの能力を組み合わせ、交流電源の制御やスイッチングを行います。
トランス
トランス（変圧器）は、電磁誘導の原理を利用して交流電圧の大きさを変える電気機器です。変圧、絶縁を目的に使用されます。
トランスファーモールド
熱硬化性樹脂を用いた半導体パッケージの一つです。固く頑丈であるため高い信頼性が特徴です。
ドレイン
MOSFETやFETなどの素子で、チャネルの電荷を収集する端子を指します。
ナ行
熱拡散
半導体材料表面に不純物を熱処理で拡散するプロセスです。熱拡散は、不純物の濃度勾配を形成し、半導体内のドープ分布を制御するために使用されます。このプロセスによって、半導体デバイスの電気的特性が調整されます。
熱抵抗
素子が熱を伝導する能力を指します。
ハ行
バーチャルパワープラント（VPP）
分散型エネルギー資源（DERs）を一つの統合された運用システムとして管理し、これを単一の大規模発電所として機能させる概念です。このシステムは、小規模発電所、蓄電池、再生可能エネルギー源（太陽光発電や風力発電）、さらには家庭やビルの省エネルギーシステムや需要応答（DR）など、様々な種類のエネルギー資源をリアルタイムで制御・最適化します。
※エネルギー庁HPより引用
ハードリカバリー
ダイオードなどの素子で、印加電圧を順方向から逆方向に変化させた時にオン状態からオフ状態になる際に、急激に回復することを指します。電圧や電流のスパイクが顕著に生じることがあります。
バイパス給電
UPS（無停電電源装置）の出力をバイパス回路を介して直接負荷に供給することを指します。通常は、UPSが故障したり過負荷になったりした場合に使用され、負荷の継続的な電力供給を確保します。
バイポーラ
電子と正孔の両方が電流の伝導に寄与する半導体素子や現象を指します。
バイポーラ型デバイス
電流の伝導に電子と正孔の両方が関与する半導体デバイスです。
パッシベーション
半導体デバイスの表面を保護するためのプロセスです。パッシベーションは、不純物からの工程保護や電気的な影響を防ぎ、デバイスの信頼性と性能を向上させます。
バリューチェーン
製品やサービスの生産・提供過程における付加価値の創造と流れを示す概念です。
パルス効果
一定の電圧パルスが半導体デバイスに印加された際に生じる特性の変化を指します。例えば、電圧パルスがデバイスの特性を急激に変化させ、高速スイッチングや応答を可能にすることがあります。
パワーエレクトロニクス
電力の変換と制御に関わる電子工学の一分野です。これには、電力を効率的に変換、供給、制御するための電子デバイス、システム、および技術が含まれます。
パワーコンディショナー
太陽電池、燃料電池、蓄電池等の発電電力を系統電力に変換する機能を備えた装置のことです。
パワートランジスタ
高電力を扱う目的で設計されたトランジスタであり、大電流や高電圧を制御することができます。
パワー半導体
パワー半導体は、電力制御や電力変換のために用いられる半導体デバイスの総称です。これらのデバイスは高電力および高電圧アプリケーションに適しており、電力の効率的な変換と制御を可能にします。
バンドギャップ
伝導帯と価電子帯のエネルギーの差を指します。電気的伝導が可能な帯域とそうでない帯域との間のエネルギー障壁です。
バンド構造
半導体内で電子が存在するエネルギーバンドの配列を指します。通常、伝導帯、価電子帯、および禁制帯が含まれます。
ピークカット
電力需要が最大になる時間帯（ピークタイム）における電力使用量を削減する取り組みを指します。この目的は、電力供給の安定性を確保し、電力供給システムにかかる負荷を軽減することにあります。ピークカットは、電力料金の高い時間帯に電力消費を抑えることでコスト削減にもつながります。方法としては、不要な照明や機器の消灯、エアコンの設定温度調整、高効率の機器への更新、蓄電池からの電力使用などがあります。
ピークシフト
ピークシフトは、電力消費のピークを他の時間帯に移動させることにより、ピークタイムにおける電力需要を軽減する取り組みです。具体的には、電力需要が低い夜間などに電力を蓄え（例えば蓄電池を充電）、電力需要が高くなる日中にその蓄えた電力を使用することで、電力網からの直接的な電力消費を抑えます。ピークシフトにより、電力供給システムの効率を高めるとともに、電力コストの節約にも寄与します。
平型パッケージ
円盤状の大型パッケージで、高耐圧、高電流用途に用いられます。
フィールドプレート構造
PN接合部からはみ出して形成された電極に絶縁膜を挟んだ構造で電圧の集中を緩和して半導体の耐圧を維持する構造です。電極の張り出しの長さや絶縁膜の厚みにより調整されます。
不純物
半導体材料に意図的に導入される他の元素のことを指します。不純物を導入することで、半導体の電気的特性を調整し、特定の目的に合ったデバイスを作成することができます。
不純物濃度
半導体内に導入された不純物の量を示す指標です。不純物濃度が異なると、半導体の電気的特性や挙動が変化します。
ブスバー
「バスバー」とも呼ばれ、電気配電盤などで使用される導体の一種です。電気の配線や接続を効率的に行うために使用され、通常は銅やアルミニウム製の平板状の導体です。
プラズマ
高温で電離された気体であり、陽イオンと電子から構成される第四の物質状態です。通常の気体とは異なり、導電性があり、強力なエネルギーを持ちます。
フリッカレス
光や映像が点滅やちらつきを伴わない状態を指します。安定した光や映像を提供し、目の疲労やストレスを軽減します。
ブリッジモジュール
複数の半導体素子がブリッジ回路として組み合わされたモジュールです。
プレーナ型
半導体の耐圧維持構造が平坦な形状をしていることを指します。
ボロン
P型半導体のドープに使用される三価の不純物です。ボロンは、半導体内の価電子帯に結合し、正孔を生成します。
マ行
前工程
半導体製造プロセスの中で、ウエハーの加工をする工程で、露光、エッチング、熱拡散、金属膜形成などの工程が含まれます。半導体チップとしての完成までを表します。
マテリアリティ
企業が事業活動において重要と認識される経済的、環境的、社会的な要素や問題のことを指します。
メサ型
PNジャンクションの端部に傾斜構造を形成して耐圧を維持する構造（メサ＝台形）を持った半導体です。高耐圧の半導体によく使われます。
メサガラス
メサ型構造を覆うために使用される保護ガラス層です。メサガラスは、メサ構造を保護し、デバイスの信頼性を向上させます。
モジュール
複数の半導体デバイスが組み込まれた製品を指します。
ヤ行
ユーザビリティ
製品やシステムの使用しやすさや利便性の度合いを指します。
ユニポーラ型デバイス
電流の伝導に電子または正孔のいずれか一方だけが関与する半導体デバイスです。MOSFETやショットキーダイオードが該当します。
ラ行
ライフサイクルアセスメント
製品やサービスの生産から廃棄までの環境への影響を評価する方法です。
ライフタイム
半導体中のキャリアが再結合するまでの平均時間を表す指標です。通常、正孔や電子のライフタイムが言及されます。高速ダイオードやIGBTのスイッチング速度に影響します。
ライフタイムキラー
半導体中のキャリアのライフタイムを制御する不純物や結晶欠陥です。高速ダイオードやIGBTのスイッチング調整に重金属拡散や電子線、イオン照射などが使われています。
リードタイム
受注から製品が完成し、顧客に納品されるまでの時間を指します。
リップル
出力電圧や電流に含まれる交流成分の波動を指します。
リン
N型半導体のドープに使用される五価の不純物です。リンは、半導体内の価電子帯に結合し、自由電子を供給します。
レジスト
半導体製造プロセスで使用される光感応性の材料です。露光されたパターンを転写する際に使用され、露光された領域と非露光領域を区別します。レジストは後段のエッチングやイオン注入のマスクとしても使用されます。
露光
半導体製造プロセスにおいて、マスクを使用して半導体ウェハー上にパターンを転写するプロセスです。露光装置を使用して、マスク上のパターンを半導体ウェハー上に投影し、フォトレジストにパターンを形成します。
ワ行
ワイドバンドギャップ半導体
ワイドバンドギャップ半導体は、従来のシリコンよりもバンドギャップが大きい半導体材料のことを指します。これにはSiC、GaN、およびGa2O3などが含まれ、高温、高電圧、および高周波アプリケーションで使用されます。
