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2022年4月12日 製品・サービス

高信頼性と低損失を実現した 1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始

当社はこのたび、高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造のTO-247パッケージを採用したSiC MOSFETの電流容量50A品を2022年4月より販売いたします。

従来品のモジュール製品(150A、100A)に加えて50Aのディスクリート製品を追加することにより、お客様の幅広いご要望にお応えできるようになりました。

製品写真と接続図

パワーデバイスは、車載用や産業用分野において、さまざまな用途で使用されています。SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは、従来のSi(シリコン)を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途での省エネルギー化のキーデバイスとして期待されています。本製品は還流ダイオード機能を内蔵したSiC MOSFETチップを搭載することで不要なインダクタンスを低減し、SiC MOSFETの性能を引き出す4ピン構造を採用することで高速スイッチングと低損失を実現しています。

【製品の概要】

製品名 型式 耐電圧 電流容量 RDS(ON) Package
SiC MOSFET FMG50AQ120N6 1200V 50A 13mΩ(Typ)
Vɢꜱ=20V, ID=50A
TO-247-4L

 

【新製品の特長】

  1. SiC MOSFETの性能を最大限に引き出す独自の低損失内部配線と、高放熱と高絶縁を両立した専用パッケージを採用
  2. ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、高速スイッチングと低損失を 実現する4ピン構造を採用
  3. 理想的なスイッチングを実現するために、不要なインダクタンスを低減できる還流ダイオード機能を内蔵したSiC MOSFETチップを搭載
  4. SiC MOSFETの弱点といわれる短絡破壊に対し、装置の安全設計を実現する業界トップクラスの短絡耐量
  5. 実使用時の高効率化を実現するチップが高温時(150℃)でも変化の少ないオン抵抗特性
  6. 高周波駆動時のノイズに対し、誤動作に強い閾値の高いゲート特性(閾値電圧4.0V(Typ.))

【主な用途】

  • 産業用インバータ
  • 無停電電源装置(UPS)
  • EV充電器
  • 各種スイッチング電源

【環境への配慮】

本製品はRoHS指令(2011/65/EUおよび(EU)2015/863)に準拠しています。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.

【今後の展望】

SiC MOSFET搭載製品のラインナップを拡充することで、各種電源装置の高信頼性・高効率化、および小型・低コスト化に貢献してまいります。

【価格】

当社半導体営業部までお問い合わせください。


※本プレスリリースに記載されている内容は発表時点の情報です。予告なしに内容が変更となる場合もあります。何卒ご了承ください。

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