独自のパッケージ「Techno Block」を採用
2in1 SiC MOSFET モジュール
FCA150AC120(150A/1200V)
FCA100AC120(100A/1200V)
SiCパワーデバイスは、従来のSiを超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途での省エネルギー化のキーデバイスとして注目されています。当社のSiC-MOSFETモジュールは、独自のパッケージ「Techno Block※1」により、長期信頼性の向上と低損失化、小型化を実現し、高速スイッチングに適した製品です。
本製品はパナソニック株式会社との共同開発により商品化されたものです。
特長
- 長期信頼性※2の向上と小型化を実現する、当社独自のパッケージ「Techno Block」
- 高速なスイッチングが可能な、インダクタンスを約1/2(当社従来比)に低減した内部構造
- 理想的なスイッチングを実現するために、不要なインダクタンスを低減できる回生ダイオード機能を内蔵した、パナソニック株式会社独自のSiC-MOSFETチップ(DioMOS(Diode integrated MOSFET))を搭載
- SiC-MOSの弱点といわれる短絡破壊に対し、装置の安全設計を実現する業界トップクラスの短絡耐量
- 実使用時の高効率化を実現する、チップが高温時(150℃)でも変化の少ないオン抵抗特性
- 高周波駆動時のノイズに対し、誤動作に強い閾値の高いゲート特性(閾値電圧4.0V(Typ.))
- ※1
- はんだ接合で金属とチップを挟み込む構造に、トランスファーモールド工法を組み合わせたパッケージ。接続するためにワイヤボンディング技術を使用しないことで、長期信頼性の向上と小型化を実現。Techno Blockは当社の商標です。
- ※2
- パワーサイクル耐量 当社従来比約3倍
用途
- 産業用インバーター
- DC-DCコンバータ
- EV充電器
- 高出力共振電源
最大定格
特にことわらない限りTj=25℃
| 項目 | 記号 | 単位 | 定格値 | 条件 | |
|---|---|---|---|---|---|
| FCA100AC120 | FCA150AC120 | ||||
| ドレイン-ソース電圧 | VDSS | V | 1200 | - | |
| ドレイン電流 | ID | A | 100 | 150 | VGS=20V, Tc=90℃ |
| 許容損失 | Ptot | W | 625 | 1135 | Tc=25℃ |
| 動作接合部温度 | Tj | ℃ | -40 〜 +150 | - | |
| 絶縁耐圧 | Viso | V | 2500 | 主端子-ケース間、AC 実効値 １分間 | |
電気的特性
特にことわらない限りTj=25℃
| 項目 | 記号 | 単位 | 規格値 | 条件 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 標準 | 最大 | |||||||||
| FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100/150AC12D | |||
| ドレイン-ソース オン抵抗 |
RDS(on) | mΩ | - | - | 6.8 | 4.1 | 14 | 9.3 | ID=100A | ID=150A | VGS=20V |
| - | - | 7.4 | 4.5 | 15 | 10 | VGS=20V, Tj=150℃ | |||||
| ドレイン遮断電流 | IDSS | μA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - | VDS=1200V, VGS=0V |
| ゲートソース 閾値電圧 |
VGS(th) | V | 3 | 3 | 4 | 4 | 5.2 | 5.2 | ID=3mA | ID=4.5mA | VDS=10V |
| ゲート漏れ電流 | IGSS | nA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - | VGS=20V, VDS=0V |
| 熱抵抗 | Rth(j-c) | ℃/W | - | - | - | - | 0.2 | 0.11 | - | - | 接合部-ケース間 (１素子当り) |
