高速ダイオードモジュール DBA200ZA20
長年培われた最適化技術により、優れた高速リカバリ特性を実現（trr :Typ 50ns）。また、充分なアバランシェ耐量の確保により、ショットキーバリアダイオードからの置き換えに最適な製品です。
アバランシェ耐量とは
半導体素子に定格を超えた逆電圧が印加されると、アバランシェ降伏により電流が流れます。この時にどれくらいのエネルギー（電流）まで耐えられるのかをアバランシェ耐量として表します。アバランシェ耐量向上型のデバイスは一般よりもアバランシェ電流で破壊しにくいのが特長です。
特長
- 長年培われた最適化技術により、優れた高速リカバリ特性を実現（trr :Typ 50ns）
- 充分なアバランシェ耐量の確保により、ショットキーバリアダイオードからの置き換えに最適
- 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージを採用
- ヒートシンクへの直接取り付けが可能
- 絶縁耐圧 2500Vまで対応
用途
- 溶接機二次側高速整流
- スイッチング電源
- 誘導加熱用電源
使用例
SOT-227パッケージの当社製他デバイスとの組合せにより搭載機器の小型化に貢献
最大定格
特にことわらない限り Tj=25℃
| 項目 | 記号 | 単位 | 定格値 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 直流逆電圧 | VR(DC) | V | 200 | |||
| 平均順電流 | IF(AV) | A | 100 | 直流、 Tc=98℃ (１素子当たり) | ||
| 絶縁耐圧 | VISO | V | 2500 | AC実効値 1 分間 | ||
| アバランシェ電流（単発） | IAS | A | 40 | V=100V、 L=1.15mH | ||
| せん頭アバランシェ電力（繰返し） | PARM | W | 45000 | Tp = 10 μs | ||
| 動作接合部温度 | Tj | ℃ | - 40 ～ +150 | |||
電気的特性
特にことわらない限り Tj=25℃
| 項目 | 記号 | 単位 条件 | 規格値 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 標準 | 最大 | ||||
| 逆電流 | IR | mA | 0.5 | 5 | Tj=Tjmax、 VR=VR(DC)、（１素子当たり） | |
| 順電圧 | VF | V | 1 | 1.15 | IF=100A、（１素子当たり） | |
| 閾値電圧 | V(to) | V | 0.84 | 0.96 | Tj = 25℃ | |
| 0.62 | 0.7 | Tj=Tjmax | ||||
| 逆回復時間 | trr | ns | 50 | 65 | IF=100A、 VR=100V、 -di/dt=200A /μs、 （１素子当たり） | |
| 熱抵抗 | Rth(j-c) | ℃/W | 0.25 | 接合部 ー ケース間（１モジュール当たり） | ||
