ニュース News
2024年11月11日
1700V/300A SiC-MOSFETモジュールを開発 ～1200Vに加えラインアップ拡充～
当社はこのたび、1700V/300A SiC MOSFETモジュールを開発しました。
SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）を超える低損失、高速動作が可能なため、大電流、高電圧用途として、車載や産業用分野などで省エネルギー化のキーデバイスとして注目されています。
すでにリリースされている1200Vに加え、今回新たなラインアップとして1700V製品をリリースしました。従来製品より電流容量を拡大した300A定格としており、よりハイパワーな用途に最適な仕様となっています。
【新製品の特長】
- 高耐圧 1700Vの実現により、より効率化した回路アプリケーションが可能
- 当社独自のTechno Blockパッケージ技術※1を用いたことで小型化、長期信頼性設計※2
- ダイオード機能を内蔵したDioMOS（Diode integrated MOSFET）チップ搭載により、高速動作を実現
- 高温動作時でも長い短絡耐量時間を保持し保護機能の設計が容易
- 高温動作時でも低オン抵抗を保つ特性を持ち高出力アプリケーションに有利（他社の同一電流定格品に比べて倍近い電流の制御が可能）
- 誤動作に強いチップを搭載（Vgsth =4.0V（Typ.））ゲートのノイズ信号に対する感度が低く設計が容易
※1 はんだ接合技術と、トランスファーモールド工法を組み合わせた当社独自のパッケージ技術です。
※2 パワーサイクル耐量 当社従来比約3倍 （ワイヤーボンディング技術を使用しないTechno Block技術採用により従来からのパッケージ品に比べ長期信頼性の向上）
【主な用途】
- 産業用インバーター
- スイッチング電源
- 各種高周波電源 など
【製品の概要】
【環境への配慮】
本製品はRoHS※指令（2011/65/EUおよび(EU)2015/863）に準拠しています。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.
【価格】
当社半導体営業部までお問い合わせください。
※本プレスリリースに記載されている内容は発表時点の情報です。予告なしに内容が変更となる場合もあります。何卒ご了承ください。
