采用独自的包装「Techno Block」
2合1 SiC MOSFET 模块
FCA150AC120(150A/1200V)
FCA100AC120(100A/1200V)
由于SiC功率器件超越传统Si制品，具有低损耗和高速运行能力，因此作为大电流和高压应用中的节能关键器件而受到关注。我们的SiC-MOSFET模块是适用于高速开关的产品，采用独自的包装「Techno Block※1」，可提高长期可靠性，减少损耗并减小尺寸。
该产品是与Panasonic Corporation的联合开发的。
特点
- 独自的包装「Techno Block」可实现长期可靠性※2和小型化
- 内部结构可实现高速开关并将电感减小到大约1/2（与我们的传统产品相比）
- 采用了松下公司独特的SiC-MOSFET芯片（DioMOS（二极管内置MOSFET）），该芯片具有内置的再生二极管功能，可以减少不必要的电感，以实现理想的开关。
- 对SiC-MOS的弱点短路破坏，实现了装置安全设计的业界顶级的短路耐量
- 芯片拥有在高温（150°C）下也几乎不变的导通电阻特性，在实际使用中可实现高效率化
- 具有高阈值（阈值电压4.0V（Typ.））的门极特性，可以抵抗高频驱动期间由于噪声引起的故障
- ※1
- 小型，高散热封装，带有我们独特的双面焊接和一体注塑成型工艺
通过不使用引线键合技术来实现长期可靠性和小型化。Techno Block是我们的商标。 - ※2
- 功率循环耐量约为本公司传统产品的3倍。
用途
- 工业变频器
- DC-DC转换器
- 电动车充电器
- 高输出谐振电源
最大额定
除非另有说明一般 Tj=25℃
| 项目 | 符号 | 单位 | 额定值 | 条件 | |
|---|---|---|---|---|---|
| FCA100AC120 | FCA150AC120 | ||||
| 漏极电压 | VDSS | V | 1200 | - | |
| 漏极电流 | ID | A | 100 | 150 | VGS＝20V, Tc＝90℃ |
| 电力流失 | Ptot | W | 625 | 1135 | Tc＝25℃ |
| 工作结温 | Tj | ℃ | -40 ～ +150 | - | |
| 绝缘耐压 | Viso | V | 2500 | AC 60Hz 1min | |
电气特性
除非另有说明一般 Tj=25℃
| 项目 | 符号 | 单位 | 規格值 | 条件 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 标准 | 最大 | |||||||||
| FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100AC | FCA150AC | FCA100/150AC120 | |||
| 漏极导通电阻 | RDS(on) | mΩ | - | - | 6.8 | 4.1 | 14 | 9.3 | ID ＝100A |
ID ＝150A |
VGS＝20V |
| - | - | 7.4 | 4.5 | 15 | 10 | VGS＝20V, Tj＝150℃ |
|||||
| 漏极熔断电流 | IDSS | μA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - | VDS＝1200V, VGS＝0V |
| 门极阈值电压 | VGS（th） | V | 3 | 3 | 4 | 4 | 5 | 5 | ID ＝3mA |
ID ＝4.5mA |
VDS＝10V |
| 门极漏电流 | IGSS | nA | - | - | - | - | 200 | 300 | - | - | VGS=20V, VDS=0V |
| 热阻 | Rth(j-c) | ℃/W | - | - | - | - | 0.2 | 0.11 | - | - | 接合部 - 外壳间 （每个素子） |
