什么是功率半导体 |SanRex| 电源机器和功率半导体三社电机制作所

三社电机集团开发制造的半导体，不是众所周知的存储器和微机等集成电路半导体，而是大电流和电压的交流·直流的变换，电流电压的控制等，各种各样的电源装置被使用的功率半导体。
被客户的各种各样的生产设备，电源机器等的多种多样的电源产品群采用担负着重要的作用。

二极管

是由最基本的结构PN结构成的器件，是用于使电流单向流动的半导体。
用于防止从交流到直流的转换电路和电流的逆流。

逆变器产品、马达用电源、直流电源等

逆恢复时间（trr）被设计为高速的二极管。
也被称为FRD（Fast Recovery Diode）。

整流二极管是为商用电源的整流而开发的，由于关断时的反向恢复特性与高速二极管相比非常差，有时会因反向恢复时的浪涌电压而破坏，因此在开关频率1kHz以上动作时请使用高速二极管。

软恢复高速二极管

二极管反向恢复动作时，反向恢复电流缓慢减少的高速二极管。

是由金属和半导体形成的肖特基结形成的二极管。
其特征是正向电压（VF）低，反向恢复时间（trr）高速。
但是，泄漏电流大，耐压低至200V左右的元件。

通过使电流流过栅极，可以进行开关的整流元件。
可以对一个方向的电流进行开、关的控制。
虽然是低速开关，但是有可以处理大电流的特征。

用于电机和工业机器等大电流的控制。

对于对一个方向的电流进行开关的晶闸管，三端双向开关是可以的。
因此，三端双向可控硅开关可以用于交流的开关用途。

用于交流开关、调光器、家电电机控制、温度控制。

IGBT IGBT

为了使MOSFET高耐压化，需要加厚漂移层，存在导通电阻变高的弱点。
IGBT通过从背面侧P层向N-层注入空穴，利用降低电阻值的电导率调制，克服了MOSFET高耐压化带来的弱点。
虽然比MOSFET慢，但是是实现了高耐压高速开关的设备。

用于各种逆变器、商用空调、焊机等高耐压领域。

是克服了作为IGBT的弱点的高速开关的设备。
SiC（硅石）的绝缘击穿强度是Si的10倍，即使是相同的耐压，N-漂移层也会变薄，可以实现低导通电阻。
高耐压和低导通电阻并存的性能是特征，由于单极动作高速开关成为可能。

用于各种逆变器、感应加热、高频等离子体用电源、电机控制等。