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高速二极管 DBA200ZA20

高速二极管

经过多年开发的优化技术可提供出色的高速恢复特性(trr :Typ 50ns)。
由于具有足够的雪崩耐受能力,它们也是替代肖特基势垒二极管的理想选择。

什么是雪崩耐受性?

当对半导体器件施加超过额定值的反向电压时,电流会因雪崩击穿而流动。
此时可承受的能量(电流)用雪崩承受能力表示。
特点与普通器件相比,抗雪崩能力更强的器件被雪崩电流击毁的可能性更小。

特点

  • 经过多年开发的优化技术可提供出色的高速恢复特性(trr :Typ 50ns)。
  • 具有足够的雪崩耐受能力,适合取代肖特基势垒二极管
  • 采用紧凑、高度可靠的 SOT-227 标准封装
  • 可以直接安装到散热片上
  • 耐压高达 2500 V

用途

  • 焊机二次侧快速整流
  • 开关模式电源
  • 感应加热电源

使用事例

与我们生产的其他 SOT-227 封装器件组合使用,有助于实现安装设备的小型化。
使用事例

最大额定

除非另有说明一般 Tj=25℃

项目 符号 单位 额定值 条件
反向直流电压 VR(DC) V 200
平均正向电流 IF(AV) A 100 DC, Tc=98℃ (per element)
绝缘耐压 VISO V 2500 AC RMS value 1 min
雪崩电流(单发) IAS A 40 V=100V、 L=1.15mH
剪切头雪崩功率(重复性) PARM W 45000 Tp = 10 μs
工作结温 Tj - 40 ~ +150

电气特性

除非另有说明一般 Tj=25℃

项目 符号 单位 额定值 条件
最低 标准 最大
反向电流 IR mA 0.5 5 Tj=Tjmax、 VR=VR(DC)、(per element)
正向电压 VF V 1 1.15 IF=100A、(per element)
阈值电压 V(to) V 0.84 0.96 Tj = 25℃
0.62 0.7 Tj=Tjmax
反向恢复时间 trr ns 50 65 IF=100A、 VR=100V、 -di/dt=200A /μs、(per element)
热阻 Rth(j-c) ℃/W 0.25 Junction - inter-chase(Per module)

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