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采用独自的包装「Techno Block」
1700V 2合1 SiC MOSFET 模块
FCA300AD170(300A 1700V)

采用独自的包装「Techno Block」1700V 2合1 SiC MOSFET 模块

在1200V的基础上进一步扩充产品系列!
额定300A电流容量比传统产品更大,非常适合更高功率的应用需求。

特点

  • 通过实现高耐压1700V,实现更高效的电路应用。
  • 采用本公司独有的Techno Block封装技术※1,具备小型化和长期可靠性设计※2。
  • 搭载集成二极管功能的DioMOS(集成二极管的MOSFET)芯片,实现高速操作。
  • 即使在高温工作时也能保持较长的短路耐受时间,保护功能设计更简便。
  • 在高温工作时也能保持低导通电阻的特性,有利于高功率应用(与其他公司相同电流额定产品相比,几乎能控制两倍的电流)。
  • 搭载抗误动作的芯片(Vgsth = 4.0V(典型值)),对栅极噪声信号的敏感性低,设计更简便。
※1
本公司独有的封装技术,将焊接技术与转移模塑工艺相结合。
※2
功率循环耐受能力约为本公司传统产品的3倍(采用无线键合技术的Techno Block技术,相较于传统封装产品提高了长期可靠性)。

导通电阻变化小

内置续流二极管功能

用途

  • 工业逆变器
  • 开关电源
  • 高频电源
  • など

最大额定

除非另有说明一般 Tj=25℃

项目 符号 单位 额定值 条件
漏极电压 VDSS V 1700 -
漏极电流 ID A 300 VGS=20V、Tc=100℃
ID(pulse) A 600 Pulse
电力流失 Ptot W 1750 Tc=25℃
工作结温 Tj -40 to +150 -
绝缘耐压 Viso V 4000 AC 60Hz 1min

电气特性

除非另有说明一般 Tj=25℃

项目 符号 单位 規格值 条件
最小 标准 最大
漏极导通电阻 RDS(on) - 2.7 5.8 VGS=20V, ID=300A
- 3.9 7.5 VGS=20V, ID=300A, Tj=150℃
漏极熔断电流 IDSS μA - - 600 VDS=1700V, VGS=0V
门极阈值电压 VGS(th) V 3 4 5.2 VDS=10V, ID=9.0mA
门极漏电流 IGSS nA - - 600 VGS=20V, VDS=0V
热阻 Rth(j-c) ℃/W - - 0.07 接合部 - 外壳间(每个素子)

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