实现下一代能源效率
1700V抗压 SiC MOSFET 分立式
FMG50AQ170N6
通过采用具有内置体二极管功能和四脚结构的SiC MOSFET芯片，我们实现了高速、低损耗操作，并且噪音最小。
特点
- 采用实现绝缘结构和高散热的最优封装
- 紧凑且高度可靠
- 不需要额外的飞轮二极管（FWD）
- 具备高短路耐受时间能力
- 即使在高温下也保持低导通电阻
- 高抗干扰能力
用途
- 工业逆变器
- 开关电源
- 高频电源 等
最大额定
除非另有说明一般 Tj=25℃
| Item | Symbol | Unit | Ratings | Conditions |
|---|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage | VDSS | V | 1700 | - |
| Continuous Drain Current | ID | A | 50 | VGS=20V, Tc=101℃, DC |
| Total Power Dissipation | Ptot | W | 440 | Tc=25℃ |
| Operating Junction Temperature | Tj | ℃ | -40 to +150 | - |
| Isolation Voltage | Viso | V | 2500 | AC 60Hz 1min |
电气特性
除非另有说明一般 Tj=25℃
| Item | Symbol | Unit | Ratings | Conditions | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| On-State Resistance | RDS(on) | mΩ | - | 16.3 | 31.0 | VGS=20V,ID=50A |
| - | 22.1 | 41.0 | VGS=20V,ID=50A,Tj=150℃ | |||
| Drain Cutoff Current | IDSS | μA | - | - | 100 | VDS=1700V, VGS=0V |
| Gate-Source Threshold Voltage | VGS(th) | V | 3.0 | 4.0 | 5.2 | VDS=10V,ID=1.5mA |
| Gate-Source Leakage Current | IGSS | nA | - | - | 100 | VGS=20V, VDS=0V |
| Thermal Resistance | Rth(j-c) | ℃/W | - | 0.21 | 0.28 | - |
