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2020.11.30
扩大了具有高可靠性和低损耗的1200V SiC MOSFET产品阵容
1200V SiC MOSFET具有高可靠性和低损耗的特点，东芝开发了一种新型100A SiC MOSFET模块，采用紧凑的转移模塑*封装，具有优异的长期可靠性。 在现有150A产品的基础上增加100A产品，能够满足客户的广泛需求。 我们已经扩大了我们的产品阵容。
连接图
转移成型是热固性树脂的一种成型方法，是将材料加热软化后压入模具的成型过程。
【特长】
功率器件广泛用于汽车和工业领域。SiC（碳化硅）功率器件有望成为大电流和高电压应用中节能的关键器件，因为与传统的Si（硅）相比，它们可以低损耗，高速度运行。我们的SiC MOSFET模块使用独特的封装“ Techno Block * 1”，以提高长期可靠性，减少损耗并减小尺寸。
通过与Panasonic Corporation的联合开发，该产品已经商品化。
【产品概述】
【新产品的特点】
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- 提高长期可靠性*2，实现小型化的本公司独创封装 “Techno Block”
- 采用内部结构，将电感量降低到约1/2（与以往产品相比），实现高速开关
- 配备了松下公司原创的SiC MOSFET芯片（DioMOS（二极管集成MOSFET）），该芯片具有内置的再生二极管功能，可以减少不必要的电感，从而实现理想的开关
- 业界一流的短路耐受能力，实现了针对SiC-MOS的弱点–短路击穿的安全设计
- 即使在芯片的高温（150℃）下也不会发生变化的导通特性，以实现实际使用中的高效率
- 具有高阈值的栅极特性，可抵抗高频驱动期间的噪声故障（阈值电压4.0V（典型值））
* 1 夹着金属和芯片的焊点的结构，结合了毛皮成型方法的变压器封装。
通过不使用引线键合技术进行连接，可以提高长期可靠性并实现小型化。
Techno Block 是我们公司的商标。
* 2个电源循环容量约为我们传统产品的3倍
【主要用途】
・工业变频器
・ DC-DC转换器
・ EV充电器
・高输出谐振电源
【环境考虑】
本产品符合RoHS *指令（2011/65 /欧盟和（EU）2015/863）。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.
【未来展望】
通过扩大配备SiC的产品和变压器皮毛成型方法套件的产品阵容（这是我们的专长），我们将为各种电源设备的高可靠性和高效率以及小型化和降低成本做出贡献。
【生产工厂】 冈山工厂：〒708-1312 岡山県勝田郡奈義町柿1741
【价格】 请联系我们的销售部门。
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