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2019.4.23
开始批量生产1200V耐压SiC MOSFET模块，实现高可靠性和低损耗
我们很高兴地宣布，将从4月开始大规模生产具有2个耐压1200V（电流容量150A）元件的SiC MOSFET模块。
[发布目的]
诸如功率晶体管之类的功率器件在汽车和工业领域中用于各种应用中。
SiC（碳化硅）功率器件作为节能的关键器件而在大电流和高电压应用中受到关注，因为与传统的Si（硅）相比，它们具有低损耗和高速运行的能力。我们的SiC MOSFET模块使用我们独特的Techno Block封装技术* 1来提高长期可靠性，减少损耗并减小尺寸。
通过与Panasonic Corporation的联合开发，该产品已商品化。
[产品概述]
| 产品名称 | 模型 | 宪法 | 耐压 | 当前容量 | RDS(on) | 尺寸 |
| 碳化硅MOSFET 模组 |
FCA150AC120 | 碳化硅MOSFET 2合1 |
1200伏 | 150A | 6.0mΩ（典型值） VGS = 20V，ID = 150A |
14.0 x 99.0 x 32.0毫米 |
[新产品的特点]
1. 我们独创的Techno Block封装技术可提高长期可靠性* 2和小型化
2. 内部结构可实现高速开关并将电感减小至约1/2（与我们的传统产品相比）
3. 可以减少不必要的电感以实现理想的开关
松下公司原创的具有内置再生二极管功能的SiC MOSFET芯片
配备（DioMOS（二极管集成MOSFET））
4.实现设备的安全设计以防止短路故障，这被认为是SiC-MOS的弱点。
业界领先的短路承受能力
5.导通电阻特性，即使在高温（150°C）下也能在实际使用中实现高效率，并且变化很小
6. 具有高阈值的栅极特性，可以抵抗高频驱动期间的噪声故障（阈值电压4.0V（典型值））
* 1 一种包装技术，结合了传递模塑法和通过焊料接合将金属和芯片夹在中间的结构。
通过不使用引线键合技术来实现长期可靠性和小型化
* 2 功率循环容量约为常规包装的3倍（与常规包装和使用Techno Block技术的包装相比）
[主要应用]
・工业变频器
・DC-DC转换器
・EV充电器
・高输出谐振电源
[环境考虑]
本产品符合RoHS *指令（2011/65 /欧盟和（EU）2015/863）。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical
and electronic equipment.
[前景]
通过扩大我们擅长的传递模具构造方法封装和配备SiC的产品的阵容，我们将为各种电源设备的高可靠性和效率以及小型化和降低成本做出贡献。
*本新闻稿中包含的信息为发布之时。
内容如有更改，恕不另行通知。
