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DIP型三相整流ダイオードブリッジ DF60NB160 / DF75NB160 / DF100NB160

DIP型三相整流ダイオードブリッジ

小型かつ長期信頼性に優れたトランスファーモールドパッケージを採用したDIP型三相整流ダイオードブリッジのラインナップを60A,75A,100Aと拡充。
お客様の製品小型化に貢献し、容量別で幅広くお選びいただけます。

高信頼性
高い放熱性
小型化に貢献
デュアル端子を採用

特長

  • トランスファーモールドパッケージ採用で、長期信頼性(パワーサイクル耐量)が3倍以上に向上
  • 熱抵抗を大幅に低減する内部構造と銅製放熱板を採用
  • 大電流容量と良好なはんだ付け性を両立する「デュアル端子」を採用
  • 体積比約1/10 ※当社従来品DF60LA/LBとの比較
  • 部品点数削減で省スペース化が可能。組み立て工数も削減
  • 両面マーキングで、実装状態でも製品の識別が可能
  • 海外向け入力AC400V系の装置に適したメサ構造高耐圧1600Vダイオードブリッジを搭載。グローバル展開にもお役立ちできます。

用途

  • パッケージエアコン
  • 汎用インバーター
  • サーボコントローラ
  • バッテリー充電器
  • 各種電源装置

最大定格

特にことわらない限りTj=25℃

項目 記号 単位 DF60NB160 / DF75NB160 / DF100NB160
ピーク繰返し逆電圧 VRRM V 1600
ピーク非繰返し逆電圧 VRSM V 1700
項目 記号 単位 定格値 条件
DF60NB DF75NB DF100NB
直流出力電流 ID A 60 75 100 三相全波整流回路
DF60NB160:Tc=110℃
DF75NB160:Tc=112℃
DF100NB160:Tc=98℃
サージ順電流 IFSM A 730/800 910/1000 910/1000 50/60Hz 正弦半波 1サイクル 波高値 非繰返し
電流二乗時間積 I2t A2s 2600 4100 4100 1サイクルサージ順電流に対する値
動作接合部温度 Tj -40~+150 -
保存温度 Tstg -40~+125 -
絶縁耐圧 VISO V 2500 主端子-ケース間、AC 実効値 1分間
締付トルク強度 M4 - N・m 1.5 推奨値1.0~1.4
質量 - g 24 標準値

電気的特性

特にことわらない限りTj=25℃

項目 記号 単位 規格値 条件
最小 標準 最大
DF60NB/DF75NB/DF100NB DF60NB DF75NB DF100NB DF60NB DF75NB DF100NB DF60NB DF75NB DF100NB
逆電流 IRRM mA - - - - 8.00 8.00 8.00 Tj=150℃ VR=1600V 印加
順電圧降下 VFM V - 1.08 1.09 1.16 1.30 1.30 1.35 Tj=25℃
瞬時測定
IF=60A
Tj=25℃
瞬時測定
IF=75A
Tj=25℃
瞬時測定
IF=100A
閾値電圧 V(TO) V - - - - 0.91 0.80 0.90 Tj=150℃
スロープ抵抗 rt - - - - 4.90 5.00 4.50 Tj=150℃
熱抵抗 Rth(j-c) ℃/W - - - - 0.25 0.20 0.20 接合部 - ケース間(モジュール当り)
接触熱抵抗 Rth(c-f) ℃/W - - - - 0.20 0.14 0.14 ケース - ヒートシンク間
シリコングリースの
熱伝導率≒9×10-3[W/cm・℃]

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