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采用独自的包装「Techno Block」
2合1 SiC MOSFET 模块
FCA150AC120(150A/1200V)
FCA100AC120(100A/1200V)

采用独自的包装「Techno Block」2合1 SiC MOSFET 模块

由于SiC功率器件超越传统Si制品,具有低损耗和高速运行能力,因此作为大电流和高压应用中的节能关键器件而受到关注。我们的SiC-MOSFET模块是适用于高速开关的产品,采用独自的包装「Techno Block※1,可提高长期可靠性,减少损耗并减小尺寸。
该产品是与Panasonic Corporation的联合开发的。

特点

  • 独自的包装「Techno Block」可实现长期可靠性※2和小型化
  • 内部结构可实现高速开关并将电感减小到大约1/2(与我们的传统产品相比)
  • 采用了松下公司独特的SiC-MOSFET芯片(DioMOS(二极管内置MOSFET)),该芯片具有内置的再生二极管功能,可以减少不必要的电感,以实现理想的开关。
  • 对SiC-MOS的弱点短路破坏,实现了装置安全设计的业界顶级的短路耐量
  • 芯片拥有在高温(150°C)下也几乎不变的导通电阻特性,在实际使用中可实现高效率化
  • 具有高阈值(阈值电压4.0V(Typ.))的门极特性,可以抵抗高频驱动期间由于噪声引起的故障
※1
小型,高散热封装,带有我们独特的双面焊接和一体注塑成型工艺
通过不使用引线键合技术来实现长期可靠性和小型化。Techno Block是我们的商标。
※2
功率循环耐量约为本公司传统产品的3倍。

用途

  • 工业变频器
  • DC-DC转换器
  • 电动车充电器
  • 高输出谐振电源

最大额定

除非另有说明一般 Tj=25℃

项目 符号 单位 额定值 条件
FCA100AC120 FCA150AC120
漏极电压 VDSS V 1200 -
漏极电流 ID A 100 150 VGS=20V,
Tc=90℃
电力流失 Ptot W 625 1135 Tc=25℃
工作结温 Tj -40 ~ +150 -
绝缘耐压 Viso V 2500 AC 60Hz 1min

电气特性

除非另有说明一般 Tj=25℃

项目 符号 单位 規格值 条件
最小 标准 最大
FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100AC FCA150AC FCA100/150AC120
漏极导通电阻 RDS(on) - - 6.8 4.1 14 9.3 ID
=100A
ID
=150A
VGS=20V
- - 7.4 4.5 15 10 VGS=20V,
Tj=150℃
漏极熔断电流 IDSS μA - - - - 200 300 - - VDS=1200V,
VGS=0V
门极阈值电压 VGS(th) V 3 3 4 4 5 5 ID
=3mA
ID
=4.5mA
VDS=10V
门极漏电流 IGSS nA - - - - 200 300 - - VGS=20V,
VDS=0V
热阻 Rth(j-c) ℃/W - - - - 0.2 0.11 - - 接合部 - 外壳间
(每个素子)

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