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2022.4.12
实现了高可靠性和低损失的1200V耐压SiC MOSFET分立产品开始销售
本公司这次将从2022年4月开始销售采用4针结构的TO-247包装的SiC MOSFET电流容量50A,实现高速切换和低损失的產品。
除了旧产品的模块产品(150A、100A)之外,还追加了50A的离散产品,可以满足客户的广泛要求。
功率半导体在车载用和产业用领域中,被用于各种各样的用途。SiC(硅碳化物)功率半导体件比以往的硅(硅)低损耗,可高速运行,因此作为大电流、高电压用途的节能关键器件备受期待。本产品通过配备内置有回流二极管功能的SiC MOSFET芯片,减少了不必要的电感,采用能够引出SiC MOSFET性能的4针结构,实现了高速切换和低损耗。
【产品概要】
产品名称 | 型号 | 耐电压 | 电流容量 | RDS(ON) | Package |
SiC MOSFET | FMG50AQ120N6 | 1200V | 50A | 13mΩ(Typ) Vɢꜱ=20V, ID=50A |
TO-247-4L |
【新产品的特点】
- 采用最大限度引出SiC MOSFET性能的独自低损耗内部布线和兼具高散热和高绝缘的专用包装
- 采用4-pin结构,减少源极端子电感的影响,实现更快的开关和更低的损耗
- 为了实现理想的开关,搭载了内置有可降低不必要电感的回流二极管功能的SiC MOSFET芯片
- 针对SiC MOSFET的弱点短路破坏,实现装置安全设计的业界顶级短路耐量
- 实现实际使用时高效率的芯片即使在高温时(150℃)也不会发生变化的开通电阻特性
- 对于高频驱动时的噪声,对误动作具有强阈值的高栅极特性(阈值电压4.0V(Typ.))
【主要用途】
- 工业用变频器
- 不间断电源(UPS)
- 电动车充电器
- 各种开关电源
【对环境的关怀】
本产品符合RoHS※指令(2011/65/EU及(EU)2015/863)。
※ Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.
【今后的展望】
通过扩充SiC MOSFET搭载产品的阵容,为各种电源装置的高可靠性、高效率以及小型、低成本化做出贡献。
【价格】
请联系我们的半导体销售部门。
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